长鑫、长江存储同步启动史上最大扩产

2月3日，据报道，长鑫存储与长江存储同步启动史上最大规模扩产计划，全力缩小与三星、SK海力士等国际龙头的差距，夯实国产存储产业话语权。

作为中国最大DRAM厂商，长鑫存储的扩产动作尤为激进，正于上海搭建新工厂，新增产能将达到合肥总部基地的两至三倍。该工厂计划2026年下半年启动设备安装，2027年正式投产，产品覆盖服务器、PC、汽车电子等高端领域，精准填补国内高端DRAM空白。

同时，长鑫存储同步在上海扩建HBM生产线，聚焦AI算力核心需求，其HBM3产品基于17nm节点开发，样品已交付国内头部客户测试，力争打破海外三巨头垄断格局。目前，长鑫存储合肥、北京两大工厂已全面满负荷运转，本土市场需求旺盛，产能扩张迫在眉睫。

国内头部NAND厂商长江存储也同步推进扩产，正在武汉建设第三座工厂，计划2027年实现投产，且新工厂100%采用国产半导体设备，突破海外设备出口管制限制。

据悉，长江存储已明确新厂产能规划，除常规NAND生产外，将拿出50%产能布局DRAM制造，实现双线发力；同时联动本土存储封装企业，针对性研发生产AI计算场景所需HBM，补齐国产存储在高端算力领域的短板，助力国内AI基础设施自主可控。

随着两大巨头扩产落地，国产存储产能将大幅提升，有望进一步填补国内30%的高端存储产能缺口，推动国产存储自给率稳步提升，同时缓解全球存储芯片短缺压力。

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